共發(fā)射極電流放大系數(shù)。它既是晶體管一個重要的電學(xué)參數(shù),也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、磷擴R5400N102CA-TR-FF散所形成的兩個擴散結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。影響放大系數(shù)的因素很多,這里僅從擴散工藝本身列舉提高`值的一些途徑。

    ①減小基區(qū)寬度:囚為卩值與基區(qū)寬度有關(guān),基區(qū)寬度越小,`值就越高。所以,若磷擴散后可再提高磷擴散溫度或延長擴散時間,使發(fā)射結(jié)結(jié)深往前推移,基區(qū)變薄。但并不是基區(qū)寬度越小越好。若基區(qū)寬度太小,`值過高,往往會使晶體管的電性能不穩(wěn)定,擴散也難控制。磷主擴散后,還要進行三次氧化(或再擴散),發(fā)射結(jié)深度還會向前推移。因此經(jīng)主擴散后所測得的`值不一定要求很高,其數(shù)值依不同要求而定。

    ②減少復(fù)合:復(fù)合包括體復(fù)合和表面復(fù)合。體復(fù)合與源材料中存在的缺陷和雜質(zhì)有關(guān),也和整個擴散過程多次高溫處理所產(chǎn)生的二次缺陷和引人的有害雜質(zhì)有關(guān)。所以,在擴散I藝中應(yīng)盡量選擇雜質(zhì)原子的共價半徑與硅原子半徑0.117nm相當,盡量采用溫度較低的擴散工藝方法。在進行高溫處理后,應(yīng)緩慢降溫,保證晶格的完整性。同時,應(yīng)加強工藝衛(wèi)生,避免引人新的雜質(zhì)沾污。至于表面復(fù)合問題,主要加強I藝衛(wèi)生避免表面沾污,改善表面狀態(tài),防止表面損傷和進行表面鈍化等。

    ③減小R史/Rab值:從《晶體管原理》知道,減小發(fā)射區(qū)的薄層電阻R義與基區(qū)薄層電阻凡b的比值,可提高發(fā)射極的注人效率γ。在工藝中常有這樣的情況,即基區(qū)已經(jīng)是很薄了,但`還是很小。顯然,這時`小的原因已不是基區(qū)寬度的問題,而可能是注人效率太小而導(dǎo)致的。一般認為,磷擴散溫度和時間應(yīng)根據(jù)硼擴散的薄層電阻和結(jié)深來確定。若Rab丬、結(jié)較深就必須提高磷擴散溫度或延長擴散時間,反之則降低溫度或縮短時問�？傊�,硼、磷擴散一定要配合好,才能得到較好的效果。