電阻真空鍍鋁
發(fā)布時(shí)間:2017/5/23 21:11:55 訪問次數(shù):1134
常壓下,鋁熔點(diǎn)為660.4℃,沸點(diǎn)為2467℃,在1250℃時(shí)的平衡蒸氣壓為1,333Pa,所以1250℃是I程上規(guī)定的蒸發(fā)溫度,這一溫度并不高,PM7350-PI所以長期以來鋁膜都是使用電阻加熱方法淀積的。
鋁源在蒸發(fā)過程中是先熔化,再汽化揮發(fā)。熔融鋁能浸潤鎢絲,因此可以采用鎢絲作為鍍鋁的電阻加熱器。常用的鎢絲加熱器的形狀和鋁絲源的擺放方式如圖⒌32所示。
蒸發(fā)源鋁絲的純度應(yīng)在5N以上。襯底溫度約150℃。鋁絲表面在常溫常壓環(huán)境會(huì)有一層致密的氧化層(川20),應(yīng)預(yù)蒸發(fā)數(shù)秒待氧化層揮發(fā)完畢之后,再打開擋板淀積鋁膜;鎢絲加熱器在熔融鋁全部蒸發(fā)完的瞬間高溫下與鋁生成四鋁化鎢,為避免將其淀積在鋁膜上,應(yīng)在熔融鋁全部蒸發(fā)完之前的就關(guān)斷擋板。加熱器鎢絲的純度也對(duì)所鍍鋁膜的純度帶來影響,鎢絲中通常含有痕量的鈉。淀積1um厚的鋁膜,耗源約1g,淀積速率約0.8um/min。
電阻真空鍍鋁工藝方法簡單,容易操作,但是鍍膜純凈度不高,襯底附著性和臺(tái)階覆蓋特性也較差,目前只是在對(duì)鋁膜質(zhì)量要求不高的場合使用。
常壓下,鋁熔點(diǎn)為660.4℃,沸點(diǎn)為2467℃,在1250℃時(shí)的平衡蒸氣壓為1,333Pa,所以1250℃是I程上規(guī)定的蒸發(fā)溫度,這一溫度并不高,PM7350-PI所以長期以來鋁膜都是使用電阻加熱方法淀積的。
鋁源在蒸發(fā)過程中是先熔化,再汽化揮發(fā)。熔融鋁能浸潤鎢絲,因此可以采用鎢絲作為鍍鋁的電阻加熱器。常用的鎢絲加熱器的形狀和鋁絲源的擺放方式如圖⒌32所示。
蒸發(fā)源鋁絲的純度應(yīng)在5N以上。襯底溫度約150℃。鋁絲表面在常溫常壓環(huán)境會(huì)有一層致密的氧化層(川20),應(yīng)預(yù)蒸發(fā)數(shù)秒待氧化層揮發(fā)完畢之后,再打開擋板淀積鋁膜;鎢絲加熱器在熔融鋁全部蒸發(fā)完的瞬間高溫下與鋁生成四鋁化鎢,為避免將其淀積在鋁膜上,應(yīng)在熔融鋁全部蒸發(fā)完之前的就關(guān)斷擋板。加熱器鎢絲的純度也對(duì)所鍍鋁膜的純度帶來影響,鎢絲中通常含有痕量的鈉。淀積1um厚的鋁膜,耗源約1g,淀積速率約0.8um/min。
電阻真空鍍鋁工藝方法簡單,容易操作,但是鍍膜純凈度不高,襯底附著性和臺(tái)階覆蓋特性也較差,目前只是在對(duì)鋁膜質(zhì)量要求不高的場合使用。
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