經過涂底之后,就可以進行涂膠。在涂膠之前先把硅片放在一個平整的金屬托盤上。托盤表HAT2068R-EL-E面有小孔與真空管相連,硅片就被吸在托盤上,這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。涂膠工藝一般包括3個步驟:

   ①將光刻膠溶液噴灑到硅片表面上;

   ②加速旋轉托盤(硅片),直至達到需要的旋轉速度;

   ③達到所需的旋轉速度后,保持一定時間的旋轉。

    涂膠工藝的一種做法是先使托盤達到一定的轉速,再把光刻膠溶液噴灑到硅片表面上,之后再加速到所需的旋轉速度并保持一定時間的旋轉。由于硅片表面的光刻膠是借著旋轉過程中離心力的作用而向硅片的外圍移動的,因此涂膠也稱為甩膠。液態(tài)的光刻膠在離J心力的作用下,由軸心沿徑向飛 濺出去,而黏附在硅片表面的光刻膠受黏附力的作用被留下來。經過甩膠之后,最初噴灑的光刻膠中,留在硅片表面上的不到1%,其余的都被甩掉。最終光刻膠的膜厚除了與光刻膠本身的黏性有關之外,還與旋轉速度有關。通常甩

膠后光刻膠的膜厚可以視為與旋轉速度的平方根成反比。在旋轉過程中,光刻膠中所含的溶劑不斷揮發(fā),從而使光刻膠變得千燥,同時也使光刻膠的黏度增加。因此,轉速提升得越快,光刻膠薄膜的均勻性就越好。對于同樣的光刻膠,硅片的轉動速度越快,光刻膠層的厚度也將越薄,而且光刻膠膜的均勻性就越理想。但是如果轉速太高,當硅片中心定位不準時,就會造成硅片被甩出的情況,所以一般較大的 硅片對應的轉速比較小。通常轉速在3000~6000轉/分鐘,形成0,5~1um的膠膜。涂膠I藝的示意圖如圖98所示。在涂膠過程中需要注意的是,沒有進行前烘的光刻膠仍然是黏性的,容易黏附微粒。因此,涂膠的過程應始終在超凈環(huán)境中進行。同時噴灑的光刻膠溶液中不能含有空氣,因為氣泡的作用與微粒相似,都會在光刻工藝中引起缺陷。