光刻是微電子工藝中最重要的單項(xiàng)工藝之一。用光刻圖形來(lái)確定分立器件和集成電路中的各個(gè)區(qū)域,如注人區(qū)、接觸窗口和壓焊區(qū)等。 PMBT2907A由光刻工藝確定的光刻膠圖形并不是最后器件的構(gòu)成部分,僅是圖形的印模,為F制備出實(shí)際器件的結(jié)構(gòu)圖形,還必須再一次把光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的材料層上。也就是使用能夠?qū)Ψ茄诒尾糠诌M(jìn)行選擇性去除的刻蝕工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移。在襯底硅片的加工過(guò)程中,三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件依次在硅片表面或表層內(nèi)構(gòu)成。這些部件是每次在一個(gè)掩膜層上生成的,并且結(jié)合生成薄膜及去除特定部分,通過(guò)光刻工藝過(guò)程,最終在襯底上保留特征圖形的部分。光刻I藝的目標(biāo)是根據(jù)電路設(shè)計(jì)的要求,生成尺寸精確的特征圖形,并且在襯底表面的位置正確且與其他部件的關(guān)聯(lián)正確。

   光刻工藝貫穿半導(dǎo)體器件和集成電路制造工藝的始終,如制作分立器件3DK4,有四次光刻;大規(guī)模集成電路的制作一般每個(gè)晶片要經(jīng)過(guò)10次以上的光刻;而當(dāng)代的超大規(guī)模集成電路的制作則需要幾十次乃至上百次的光刻才能完成。在集成電路中,光刻的最小線條尺寸是其發(fā)展水平的標(biāo)志。當(dāng)前國(guó)內(nèi)集成電路芯片制造的最高△藝水平是中芯國(guó)際的28nmェ藝線,國(guó)際上已達(dá)到14nm。如表91所示為預(yù)期的幾代r對(duì)光刻技術(shù)的要求。

   光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)包括分辨率R(rcsoltttlO11)、焦深(Depth of Focus,DC,F)、對(duì)比度(Cf,N)、特征線寬(Chtlcd Dnlen“ol△,∞)控制、對(duì)準(zhǔn)和套刻精度(赳1鯽nt al△dlhˉt・day)、產(chǎn)率(Thr。ughout)及價(jià)格。