集成電路置藝對濺射用鋁及鋁合金靶的質量要求很高,除了純度在5N以上外,還要求鋁硅、鋁PM8028合金靶成分必須準確、均勻。各種成分的鋁及鋁合金靶,如川、As1、AlCtlO5、AlSi1CtL15等,要求金屬 雜質含量≤5×106。圖⒏33所示是兩種形狀的鋁及鋁合金靶照片。

   磁控濺射鋁及鋁合金的典型工藝參數:基壓1.3×104Pa;襯底溫度⒛0℃;靶一襯底距離5cm;陰極電壓420V,電流13A;工作氣體為高純Ar,純度在5N以上,氣壓0.13~1.3Pa;濺射角5°~8°;濺射速率0.8~1um/mh。

   (a)78mm铞及鋁合僉靶   (b)⒛0mm铞及鍋合僉靶

   圖⒏33 兩種形狀的鋁及鋁合金靶照片

   磁控濺射鋁膜的附著力、致密性、臺階覆蓋特性,以及薄膜厚度的可控性和重復性都好于真空蒸鍍鋁膜。磁控濺射工藝也適合淀積鋁合金薄膜,用磁控濺射淀積的鋁合金薄膜其薄膜的組成成分與相應的靶材的組成成分變化不大,如表⒏3所示是由復合靶濺射的鋁合金薄膜的組成。當前,磁控濺射工藝已成為制備鋁及鋁合金薄膜的首選方法,普遍用于實際生產上。