TⅤS電壓與電流關(guān)系圖
發(fā)布時間:2017/6/21 20:32:34 訪問次數(shù):481
另外,受測試的引腳14/15與“7物理位置較遠(yuǎn),相關(guān)的PCB信號布線間距是70mil。PA905C6由此來推斷,因為引腳或布線的耦合而使相鄰接口產(chǎn)生問題的可能性幾乎不存在,比較大的可能性就是器件內(nèi)部的設(shè)計缺陷,只要芯片的信號接口引腳上出現(xiàn)一定幅度的電壓,則該業(yè)務(wù)信號就會出現(xiàn)連續(xù)誤碼、不能恢復(fù)的問題。據(jù)測試,這個電壓大概只有十幾伏,比一般器件能抗的浪涌電壓要弱,也可以說是該器件的設(shè)計缺陷,但是不能為了一個器件影響設(shè)各系統(tǒng)的`總體抗浪涌性能,于是只能通過外加保護(hù)器件的辦法降低浪涌信號在芯片上產(chǎn)生的浪涌殘余電壓幅度。計劃使用幾種常用的保護(hù)器件進(jìn)行試驗,考慮到寄生電容和信號速度的問題,選擇的器件是TⅤS二極管。TVS鉗位電壓與電流的關(guān)系如圖4.gg所示。
式中,C)為鉗位電壓(Ⅴ)的中間值,在JP電流時測得;JF,為實驗時的峰值脈沖電流(A);JPP為設(shè)計的最大鉗位電流(A);t/m小為設(shè)計的最大鉗位電壓(Ⅴ);σ:Rm服為設(shè)計的最大雪崩電壓(Ⅴ)。
圖4.88 TⅤS電壓與電流關(guān)系圖
另外,受測試的引腳14/15與“7物理位置較遠(yuǎn),相關(guān)的PCB信號布線間距是70mil。PA905C6由此來推斷,因為引腳或布線的耦合而使相鄰接口產(chǎn)生問題的可能性幾乎不存在,比較大的可能性就是器件內(nèi)部的設(shè)計缺陷,只要芯片的信號接口引腳上出現(xiàn)一定幅度的電壓,則該業(yè)務(wù)信號就會出現(xiàn)連續(xù)誤碼、不能恢復(fù)的問題。據(jù)測試,這個電壓大概只有十幾伏,比一般器件能抗的浪涌電壓要弱,也可以說是該器件的設(shè)計缺陷,但是不能為了一個器件影響設(shè)各系統(tǒng)的`總體抗浪涌性能,于是只能通過外加保護(hù)器件的辦法降低浪涌信號在芯片上產(chǎn)生的浪涌殘余電壓幅度。計劃使用幾種常用的保護(hù)器件進(jìn)行試驗,考慮到寄生電容和信號速度的問題,選擇的器件是TⅤS二極管。TVS鉗位電壓與電流的關(guān)系如圖4.gg所示。
式中,C)為鉗位電壓(Ⅴ)的中間值,在JP電流時測得;JF,為實驗時的峰值脈沖電流(A);JPP為設(shè)計的最大鉗位電流(A);t/m小為設(shè)計的最大鉗位電壓(Ⅴ);σ:Rm服為設(shè)計的最大雪崩電壓(Ⅴ)。
圖4.88 TⅤS電壓與電流關(guān)系圖
相關(guān)技術(shù)資料- 6-21TⅤS電壓與電流關(guān)系圖
- 5-15離子注人相關(guān)理論基礎(chǔ)
- 5-15離子注人相關(guān)理論基礎(chǔ)
- 12-22測釋放電壓和釋放電流法
- 4-21用于為交流電源線提供差模浪涌防護(hù)的單個MOV
熱門點擊
- PCB工作地與金屬外殼直接相連是否會導(dǎo)致ES
- 刻蝕選擇比
- W金屬的干法刻蝕使用的氣體
- 塑料外殼連接器與金屬外殼連接器對ESD的影響
- 光標(biāo)測量的功能按鍵
- 射頻濺射
- 離子注入機(jī)分為如下類別
- 磁珠和電容的正確位置和連接關(guān)系
- 磁控濺射
- 用電感和電阻的并聯(lián)能更好地解釋鐵氧體磁珠
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣，同時又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
