晶邊刻蝕是指采用千法刻蝕去除晶圓邊緣處所不需要的薄膜,它首先出現(xiàn)于2007年初,LAM公司出產(chǎn)的2300C()RONUS是關鍵的晶邊刻蝕機之一。 PIC16F688-I/SL由于在65nm及以下I藝節(jié)點,晶圓的邊緣在半導體制造中成為良率限制的主要來源之一,從而引起了廣泛地關注。從晶圓邊緣轉(zhuǎn)移的各種缺陷,成為良率的主要殺手。在器件制造過程中,薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光之間復雜的相互作用,在晶圓的邊緣造成了不穩(wěn)定的薄膜堆積,在后續(xù)的I藝步驟中,這些薄膜的部分或者全部可能產(chǎn)生缺陷,而這些缺陷會被轉(zhuǎn)移到晶圓的器件區(qū)域。因此,在器件制造過程中,有效地去除這些在晶圓邊緣處堆積起來的薄膜,可以減少缺陷,得到更高的器件良率。除了從晶圓邊緣剝離掉薄膜,金屬沾污也需要晶邊刻蝕,這時為了避免在生產(chǎn)線上的金屬沾污,并且只能采用干法刻蝕,因為濕法是不可控的,特別是對新型的高慮材料。