帶應(yīng)力的CESIJ⒛iJ是在器件溝道處引人所期望應(yīng)力的關(guān)鍵技術(shù)之一。傳統(tǒng)上,CESI'沉積,PI74FCT2573TS并接著進(jìn)行退火去釋放應(yīng)力層中的氫。這個(gè)過(guò)程產(chǎn)生了很大的應(yīng)力,并能夠傳遞到NM()S和PMOs器件的溝道中。然而,這種CESI'僅僅提供了單一形式的應(yīng)力,不能同時(shí)滿足NMOS和PM()S對(duì)增強(qiáng)應(yīng)力的要求。正因?yàn)槿绱?雙應(yīng)力層(DSI'),一種T藝引入應(yīng)變的關(guān)鍵方案應(yīng)運(yùn)而生,其將具有拉伸和壓縮應(yīng)變的氮化物層包含在一個(gè)單一的CMOS流程中。圖8,56說(shuō)明了DsI'是如何在層間介質(zhì)間隙填充前生成的,先沉積帶有拉伸應(yīng)力的⒏N層,接著沉積一層薄氧化層,薄氧化層用在此處是作為后續(xù)帶有壓縮應(yīng)力SiN層刻蝕的停止層。在氧化物刻蝕機(jī)中,以低壓、大功率的條件可以進(jìn)行氧化物刻蝕,Cl F6作為主刻蝕氣體得到高的選擇性()40)。這是由于接觸-柵的問(wèn)距過(guò)于縮小,使得在圖形稠密區(qū)域去除氧化物變得更加困難。更長(zhǎng)的刻蝕時(shí)間是必不可少的,如果選擇性不夠高,將導(dǎo)致消耗掉部分拉伸應(yīng)變的sN層,由此帶來(lái)更多的白對(duì)準(zhǔn)硅化物損失。壓縮應(yīng)力SiN層刻蝕和拉伸應(yīng)

力SiN層刻蝕是在導(dǎo)體刻蝕機(jī)中進(jìn)行的。前者采用CH,F/CHF3/CH2F2和時(shí)問(wèn)模式,而后者使用類(lèi)似的氣體組合以及在主刻蝕步驟中采用終點(diǎn)模式。后者的選擇性應(yīng)該大于15,以確保拉伸應(yīng)力的sN層沒(méi)有損失。在D⒏'刻蝕中的一個(gè)挑戰(zhàn)是拉伸和壓縮層交界部分的形狀控制,它將影響到接觸孔在白對(duì)準(zhǔn)硅化物L(fēng)x域的落位。從十法刻蝕的觀點(diǎn)來(lái)看,拉伸層的斜坡側(cè)墻(舉例來(lái)說(shuō)45°)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)拉伸應(yīng)力的SiN層刻蝕,這將大大減少在交界處的凸起。一些其他的集成方案,如CMRback,如果交界面恰好在多晶硅柵的頂部,用此方法可以減小凸起。當(dāng)SiN層對(duì)無(wú)定形碳(AC)的刻蝕選擇比非常高時(shí),如果AC是被作為底層引人到CEsI'中,凸起交界處的副作用可以被忽略。