在絕大多數(shù)應(yīng)用中,SPT刻蝕等同于siN刻蝕,可以在導(dǎo)體刻蝕機(jī)中采用能產(chǎn)t很多聚合物的氟基氣體,如CHFs、CH2F2和CHJF來(lái)進(jìn)行刻蝕。⒏N對(duì)氧化物的選擇性必須大于5,以減少氧化物側(cè)墻的頂部損失,從而確保對(duì)多晶硅柵的有效側(cè)墻保護(hù)。PI74FCT163244A高壓和零偏置功率是各向同性刻蝕的常用方法,以減小自對(duì)準(zhǔn)硅化物的損失。在SPT刻蝕中,自對(duì)準(zhǔn)硅化物的損失需要控制在10%以下。不過(guò),在部分SPT刻蝕中,當(dāng)工藝時(shí)間被用來(lái)控制側(cè)墻的去除量時(shí),要得到達(dá)到目標(biāo)的剩余⒏N寬度,使用少許的偏置功率是不可避免的。在全SPT刻蝕中,由于稀疏和稠密特征的刻蝕負(fù)載,它不可避免地要利用更長(zhǎng)的過(guò)刻蝕時(shí)問(wèn)來(lái)解決這個(gè)負(fù)載問(wèn)題,這往往導(dǎo)致嚴(yán)重的白對(duì)準(zhǔn)硅化物損失和更高的方塊電阻。所有這些工 藝的挑戰(zhàn),需要有突破的SPT。在全SPT刻蝕和部分SPT刻蝕中,分別帶有可灰化部分的重和四重側(cè)墻,可以是替換當(dāng)前NO側(cè)墻的有潛力的候選者。舉例來(lái)說(shuō),四重側(cè)墻是由氧化物、可灰化部分、sN層和氧化物組成。對(duì)外層的薄氧化層,所用的SPT刻蝕時(shí)間很少。