SI-CCD是商用PEM系統(tǒng)傳統(tǒng)的微光探頭,工作原理是Si的光子吸收作用,同光的透明性是互補(bǔ)效應(yīng)。PI74FCT2573TS由于硅對紅外、近紅外波段的透明性,S卜CCD探頭本身并不適合背面分析,其量子效率(quantum ef伍ciency)在波長1100nm以外急劇衰減,因此S卜CCD探頭主要適用于波長為400~1100nm可見光波段及近紅外光波段的光子探測。

   深亞微米技術(shù)領(lǐng)域,隨著物理尺寸和工作電壓的逐漸減小,失效點(diǎn)在電應(yīng)力作用下產(chǎn)生的載流子躍遷導(dǎo)致光輻射,其相應(yīng)的波長往往在近紅外甚至遠(yuǎn)紅外波段。重?fù)诫s的襯底引起的窄禁帶效應(yīng)及其對白由載離子的吸收,進(jìn)一步減弱光子的傳輸。在此情況下,CCD探

頭原本覆蓋的一小部分近紅外波段,叉被進(jìn)一步衰減。因此,現(xiàn)代的PEM系統(tǒng),除了傳統(tǒng)的⒏CCD探頭,常配備另一寬禁帶寬度的MC)T(HgCdTe,cadmium mercury telluride)或InGaAs探頭,組成雙探頭系統(tǒng),這個(gè)系統(tǒng)在偵測傳統(tǒng)的光電子發(fā)射失效上靈敏度更高,覆蓋光譜從CCD探頭的可見光區(qū)域延伸到2100nm波長的紅外波,這樣也可以用來探測某些具有歐姆特性的缺陷�，F(xiàn)代光輻射顯微鏡的最小電流探測能力可達(dá)lnA,空間分辨率約1um。隨著MCT和InGaAs探頭的發(fā)展和推廣,背面PEM分析和某些具有歐姆特性的失效定位已經(jīng)成為可能。