半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中
發(fā)布時間:2017/11/20 19:40:36 訪問次數(shù):684
半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中,偶發(fā)事件(設(shè)備故障,或者誤操作等)導(dǎo)致的芯片失效,稱為舁常(excursion)。例如,離子注人劑量控制不穩(wěn),退火t藝的溫度漂移等。 SA636DK
Excursion通�？梢酝高^檢查1ool process log,defectinspection,inline me1r°l°gy或者WAT數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)和追溯原因。
圖17,14是典型的random和systematic失效的wafer map。
對于反復(fù)出現(xiàn)的excursion,可以通過tool commonality等分析方法追溯原因。如圖17.17所示,當(dāng)發(fā)現(xiàn)bin yieId異常時,通過查找相關(guān)wafcr的異常的WAT數(shù)據(jù),可以對于異常來源范圍做出推斷,進(jìn)行逐步排查可以找到問題的根源。
半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中,偶發(fā)事件(設(shè)備故障,或者誤操作等)導(dǎo)致的芯片失效,稱為舁常(excursion)。例如,離子注人劑量控制不穩(wěn),退火t藝的溫度漂移等。 SA636DK
Excursion通�？梢酝高^檢查1ool process log,defectinspection,inline me1r°l°gy或者WAT數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)和追溯原因。
圖17,14是典型的random和systematic失效的wafer map。
對于反復(fù)出現(xiàn)的excursion,可以通過tool commonality等分析方法追溯原因。如圖17.17所示,當(dāng)發(fā)現(xiàn)bin yieId異常時,通過查找相關(guān)wafcr的異常的WAT數(shù)據(jù),可以對于異常來源范圍做出推斷,進(jìn)行逐步排查可以找到問題的根源。
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