濕法化學(xué)噴射刻蝕
發(fā)布時(shí)間:2019/5/21 21:44:16 訪問(wèn)次數(shù):2725
濕法化學(xué)噴射刻蝕D1117-33C
a.本方法排除了手工濕法刻蝕中固有的不安全因素,并能使管芯區(qū)域的開(kāi)封快捷、干諍、局部化,通常對(duì)器件沒(méi)有損壞。
b.濕法化學(xué)噴射刻蝕所需的設(shè)備和材料如下:
噴射刻蝕器。
發(fā)煙硝酸或硫酸、丙酮、異丙醇。
c.濕法化學(xué)噴射刻蝕工作應(yīng)按下列程序進(jìn)行:
根據(jù)開(kāi)封前進(jìn)行的X射線檢查所確定的芯片形狀、位置和尺寸,計(jì)算出芯片的大小并選擇掩模。
將器件和掩模固定在工作臺(tái)上。
根據(jù)設(shè)備性能參數(shù),設(shè)置程序參數(shù)(刻蝕溫度、刻蝕時(shí)間等)。
在刻蝕的每一步完成之后,都應(yīng)先用丙酮,而后用異丙醇清洗器件。并用干風(fēng)吹干。
如果必要,再在10∶1的o與CF4的混合氣體中進(jìn)行等離子清洗(50W,3o~60nlin)。
開(kāi)封第一只器件時(shí),對(duì)步驟c)~c),每完成一步都必須進(jìn)行低倍率下目檢,并根據(jù)目檢結(jié)果調(diào)整操作規(guī)程。以后,開(kāi)封可按步驟依次進(jìn)行(一般只需3~5min)。
濕法化學(xué)噴射刻蝕注意事項(xiàng)如下:
多數(shù)塑封材料可使用發(fā)煙硝酸,酐類環(huán)氧樹(shù)脂可使用硫酸作溶媒。
采用發(fā)煙硝酸時(shí)應(yīng)注意工作溫度。室溫下發(fā)煙硝酸對(duì)塑料幾乎不起作用。與酸反應(yīng)時(shí),應(yīng)保證器件溫度較高,使暴露時(shí)間可以較短,以利用提高刻蝕質(zhì)量。當(dāng)溫度升高到接近lOO℃時(shí),只需幾分鐘,便可完成開(kāi)封工作。更高的溫度是不必要的,因?yàn)槠鋬H會(huì)使硝酸分
解,揮發(fā)出NO2并吸收水分而變?yōu)辄S色稀硝酸。稀(黃)硝酸能與器件中的金屬反應(yīng),這是應(yīng)當(dāng)防止的。
硫酸必須加熱至大約150℃以作用于環(huán)氧樹(shù)脂。
漂洗時(shí)應(yīng)使用去離子水。
對(duì)于包封層較厚而表面積相對(duì)較小的封裝(如DIP-8封裝),去包封層過(guò)程中可能導(dǎo)致腔壁凹陷而阻止刻蝕繼續(xù)進(jìn)行,可選用更小的掩模避免此問(wèn)題。
濕法化學(xué)噴射刻蝕D1117-33C
a.本方法排除了手工濕法刻蝕中固有的不安全因素,并能使管芯區(qū)域的開(kāi)封快捷、干諍、局部化,通常對(duì)器件沒(méi)有損壞。
b.濕法化學(xué)噴射刻蝕所需的設(shè)備和材料如下:
噴射刻蝕器。
發(fā)煙硝酸或硫酸、丙酮、異丙醇。
c.濕法化學(xué)噴射刻蝕工作應(yīng)按下列程序進(jìn)行:
根據(jù)開(kāi)封前進(jìn)行的X射線檢查所確定的芯片形狀、位置和尺寸,計(jì)算出芯片的大小并選擇掩模。
將器件和掩模固定在工作臺(tái)上。
根據(jù)設(shè)備性能參數(shù),設(shè)置程序參數(shù)(刻蝕溫度、刻蝕時(shí)間等)。
在刻蝕的每一步完成之后,都應(yīng)先用丙酮,而后用異丙醇清洗器件。并用干風(fēng)吹干。
如果必要,再在10∶1的o與CF4的混合氣體中進(jìn)行等離子清洗(50W,3o~60nlin)。
開(kāi)封第一只器件時(shí),對(duì)步驟c)~c),每完成一步都必須進(jìn)行低倍率下目檢,并根據(jù)目檢結(jié)果調(diào)整操作規(guī)程。以后,開(kāi)封可按步驟依次進(jìn)行(一般只需3~5min)。
濕法化學(xué)噴射刻蝕注意事項(xiàng)如下:
多數(shù)塑封材料可使用發(fā)煙硝酸,酐類環(huán)氧樹(shù)脂可使用硫酸作溶媒。
采用發(fā)煙硝酸時(shí)應(yīng)注意工作溫度。室溫下發(fā)煙硝酸對(duì)塑料幾乎不起作用。與酸反應(yīng)時(shí),應(yīng)保證器件溫度較高,使暴露時(shí)間可以較短,以利用提高刻蝕質(zhì)量。當(dāng)溫度升高到接近lOO℃時(shí),只需幾分鐘,便可完成開(kāi)封工作。更高的溫度是不必要的,因?yàn)槠鋬H會(huì)使硝酸分
解,揮發(fā)出NO2并吸收水分而變?yōu)辄S色稀硝酸。稀(黃)硝酸能與器件中的金屬反應(yīng),這是應(yīng)當(dāng)防止的。
硫酸必須加熱至大約150℃以作用于環(huán)氧樹(shù)脂。
漂洗時(shí)應(yīng)使用去離子水。
對(duì)于包封層較厚而表面積相對(duì)較小的封裝(如DIP-8封裝),去包封層過(guò)程中可能導(dǎo)致腔壁凹陷而阻止刻蝕繼續(xù)進(jìn)行,可選用更小的掩模避免此問(wèn)題。
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