高k金屬柵極(HKMG)工藝的DDR5內(nèi)存模塊,HKMG工藝被三星GDDR6內(nèi)存采用，現(xiàn)在已擴(kuò)展到DDR5內(nèi)存,一款新的24 Gb DDR5芯片，該芯片采用采用EUV工藝的尖端D1a納米技術(shù)開發(fā)。

損傷容限設(shè)計方法是對傳統(tǒng)設(shè)計方法的補充和發(fā)展。它避免由于構(gòu)件存在初始缺陷或出現(xiàn)裂紋被漏檢而引起的飛行安全事故,同時又對結(jié)構(gòu)件上的裂紋擴(kuò)展進(jìn)行研究,科學(xué)地制定出對飛機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢修的周期。所以,與傳統(tǒng)的安全壽命設(shè)計相比,它是一種比較安全、合理和經(jīng)濟(jì)的方法。

DC/DC變流器IC可能在整個產(chǎn)品系統(tǒng)并不起眼,但它們對產(chǎn)品的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要。

在系統(tǒng)上正確地實現(xiàn)變流器IC的功能，在實際應(yīng)用中依然因為種種原因?qū)е翴C不正常工作問題，例如啟動異常，輸出電壓不穩(wěn)定，紋波過大甚至IC損壞等等。

大部分時候，引起IC異常工作的原因并不復(fù)雜，簡單的調(diào)試可以快速地定位并解決問題,幾點針對升壓變流器的調(diào)試經(jīng)驗。

因為電路需要，IC內(nèi)部在GND pin腳與其他pin腳之間有一個二極管。使用萬用表測試二極管的檔位測試這些二極管壓降，可以間接排查IC的虛焊問題。二極管壓降一般在0.5V~0.7V之間。

耐久性設(shè)計飛機(jī)結(jié)構(gòu)的耐久性是指飛機(jī)結(jié)構(gòu)在規(guī)定的經(jīng)濟(jì)壽命期間內(nèi),抵抗疲勞開裂、腐蝕、熱退化、剝離、磨損和外來物偶然損傷作用的一種固有能力。

SNA Center可以實時感知網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)，基于用戶意圖或網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)分析可以實現(xiàn)業(yè)務(wù)自動化部署和風(fēng)險預(yù)測，讓網(wǎng)絡(luò)更加智能，能夠更加簡潔、智慧、高效的為業(yè)務(wù)服務(wù)。

此時結(jié)構(gòu)必須進(jìn)行修理(稱為經(jīng)濟(jì)修理),否則繼續(xù)擴(kuò)展下去將會造成結(jié)構(gòu)功能損傷或維修費用劇增影響到飛機(jī)的備用性。