額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。

高壓的功率MOSFET采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的N-的外延層，即epi層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的N-的epi層的尺寸越厚，耐壓的額定值越大，但是其導(dǎo)通電阻也急劇的增大。

離線LED控制器HVLED001/A內(nèi)置一次側(cè)恒壓穩(wěn)壓(PSR-CV)電路和調(diào)光功能(0-10, PWM)，適用于反激式拓?fù)洹SR-CV模式意味著電路不需要光耦和二次側(cè)控制器。該反激式拓?fù)涫褂们拔膯螣魩玫墓β蔒OSFET、輸出二極管和鉗位網(wǎng)絡(luò)。

圓環(huán)上的定位銷用于圓環(huán)與圓盤“0”刻線對齊時(shí),將圓盤與圓環(huán)固定;基座下角有一水平儀。組合量角器可以對舵面偏轉(zhuǎn)角進(jìn)行測量,也可以測量螺旋槳的安裝角度。

可彎梁式也稱指針式,它是最簡單直觀且較為精確的力矩扳手。扭力頭上端固定一指針,在扳桿梁靠手柄處裝有指示刻度盤。

力矩扳手是一種常用的帶有力矩測量功能的專用工具,它可測量作用在緊固件上的扭力,從而防止由于力矩過大損壞緊固件或機(jī)件。力矩單位通常有:英寸。磅(in・1b)、英尺・磅(ft・1b)和米・牛頓(m・N)。

對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著減小RDS(on)的值，就需要找到一種對漂移區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s的方法，并大幅減小epi電阻。 

導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，這樣，就降低的電流的額定值。為了得到一定的導(dǎo)通電阻值，就必須增大硅片的面積，成本隨之增加。

如果類似于IGBT引入少數(shù)載流子導(dǎo)電，可以降低導(dǎo)通壓降，但是少數(shù)載流子的引入會(huì)降低工作的開關(guān)頻率，并產(chǎn)生關(guān)斷的電流拖尾，從而增加開關(guān)損耗。

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