sio膜的檢測
發(fā)布時間:2016/6/10 18:22:19 訪問次數(shù):878
⒑2膜的質量直接關系到半導體芯片的性能,因此,其質量必須達到預定的要求。TC1-1-13M+氧化膜質量的主要要求有表面無斑點、裂紋、白霧和針孔等缺陷,厚度達到規(guī)定的標準,薄厚均勻,可動離子含量低,符合要求等。
SiO2膜厚度的測量
比色法。膜的厚度不同,在光的照射下,由于光的干涉會呈現(xiàn)出不同的顏色,如表2.3所示。根據(jù)干涉次數(shù)與顏色,就能估測出膜的厚度。但誤差較大,且當膜厚超過750OA時,色彩變化不明顯,因此僅限于測量10O0~⒛OOA的氧化膜厚度。
⒑2膜的質量直接關系到半導體芯片的性能,因此,其質量必須達到預定的要求。TC1-1-13M+氧化膜質量的主要要求有表面無斑點、裂紋、白霧和針孔等缺陷,厚度達到規(guī)定的標準,薄厚均勻,可動離子含量低,符合要求等。
SiO2膜厚度的測量
比色法。膜的厚度不同,在光的照射下,由于光的干涉會呈現(xiàn)出不同的顏色,如表2.3所示。根據(jù)干涉次數(shù)與顏色,就能估測出膜的厚度。但誤差較大,且當膜厚超過750OA時,色彩變化不明顯,因此僅限于測量10O0~⒛OOA的氧化膜厚度。
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相關技術資料- 6-10sio膜的檢測
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