交流(AC)HCI效應(yīng)與直流(DC)HCI效應(yīng)的關(guān)系。在⒛世紀(jì)⒛年代的IC產(chǎn)品中,HB04U15S15當(dāng)器件工作的應(yīng)力電壓為漏源電壓(‰s)等于電源電壓(%c)的110%和最壞柵源電壓(吒s)條件下,基于JDs退化10%的壽命約為10年。隨著技術(shù)發(fā)展至0.8um以下線寬,這種失效判據(jù)已不適用于高性能MOsFET的設(shè)計。由于數(shù)字集成電路的占空比通常小于1,DC壽命時間通常小于1年,因而必須考慮AC效應(yīng)對此進(jìn)行修正。

   研究人員花費近10年時間發(fā)現(xiàn)AC/DC比壽命將大于1。相比于最壞DC應(yīng)力,在AC應(yīng)力下電子和空穴交替注入氧化層將造成更大的損傷,因而20世紀(jì)80年代和90年代初許多研究者指出該比率將小于1。但如今人們普遍認(rèn)為這些研究并未考慮電壓過沖、非理想電壓波形等因素。碰巧,數(shù)字電路的實際波形將允許采用AC/DC壽命比(>1)來修正DC壽命數(shù)據(jù)。

    和tf為柵信號的上升和下降時間。該模型表明有效應(yīng)力時間分別為“抑和tf/10,即有效應(yīng)力僅發(fā)生在/Gs為1佴至1/10電源電壓的范圍內(nèi)。對于數(shù)字門電路,10%線性區(qū)電流的變化AJDs使得反相器延時為2%或更小,但10%漏極飽和電流的變化AJD※s⑾約對應(yīng)反相器延時的3%,因而一般常用AJDs satl作為器件HCI效應(yīng)的失效判據(jù)。