與時間有關(guān)的柵介質(zhì)擊穿(TDDB)。TCV應(yīng)包含表征柵氧TDDB的結(jié)構(gòu)。 DAC08EQ應(yīng)具有表征柵氧面積和周長的測試結(jié)構(gòu)。應(yīng)使用不同周長的柵結(jié)構(gòu),以表征柵與源或漏交疊邊界,以及柵與晶體管和晶體管之間隔離氧化層交接邊界的介質(zhì)特性。應(yīng)根據(jù)工藝允許的最壞情況電壓條件和最薄的柵氧化層厚度確定TDDB的試驗電場強度和溫度加速因子,獲得MTTF和失效分布,從MTTF可以計算TDDB的失效率。

   TCV快速測試結(jié)構(gòu)要求。TCⅤ程序應(yīng)包括用于評價熱載流子退化的快速可靠性測試結(jié)構(gòu),以便得到快速測量與加速壽命試驗結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

   歐姆接觸退化。TCV應(yīng)具有在某一溫度下評估歐姆接觸隨時間退化的結(jié)構(gòu),特別是對GaAs器件。

   側(cè)柵/背柵。應(yīng)包括評價GaAsェ藝中FET側(cè)柵/背柵效應(yīng)的結(jié)構(gòu)。

   柵下沉。柵下沉退化機理和其他溝道退化機理的FET結(jié)構(gòu)。

   快速試驗可靠性結(jié)構(gòu)包括熱載流子退化、電遷移、TDDB、接觸電阻和柵擴散。晶圓驗收程序的外觀檢查應(yīng)包括GJB548方法2018闡述的主要項目(如金屬化、臺階覆蓋)。