HCI效應(yīng)的模擬
發(fā)布時(shí)間:2016/7/2 18:18:11 訪問(wèn)次數(shù):942
1)調(diào)用文件
輸入網(wǎng)表文件:根據(jù)具體電路AD8028AR用SPICE生成。BERT自帶的是
/cxample/specicOsp憶c)里的bicmos1和cmos1。后面的模擬結(jié)果調(diào)用的輸入文件是cmos1。
2)模擬過(guò)程
①?gòu)木w管電壓偏置中計(jì)算襯底電流和柵電流。
②從襯底電流和柵電流計(jì)算晶體管的Age、壽命和預(yù)計(jì)退化。
③若要做老化模擬,計(jì)算出的AgC可用來(lái)生成退化模型參數(shù)。將退化模型參數(shù)添加到SPICE網(wǎng)表中,就可以進(jìn)行退化后的電路模擬。
④若選ZrDs模型做老化模擬,AgC可用在計(jì)算Z幾s的表達(dá)式中。添加到SP℃E網(wǎng)表中,可進(jìn)行退化后的電路模擬。
在模擬具體電路時(shí),首先要建立好模型文件庫(kù)燦odcl和輸入文件庫(kù)/examplcs,然后在工作目錄下運(yùn)行BERT,調(diào)入輸入文件,依次執(zhí)行PⅡBERT、sPICE、POsTBERT和AgING,進(jìn)行MOs熱載流子模擬。輸入在011tput菜單下的MOSHot CaⅡicr項(xiàng)的NMOs.Deg和PMOS。Dcg中。
3)模擬結(jié)果
BERT的MOS熱載流子模擬結(jié)果分為NoMS.Deg和PMOs。Deg,以表格的形式給出,每個(gè)結(jié)果參數(shù)都有解釋,并且按晶體管的退化程度由上到下排列。
1)調(diào)用文件
輸入網(wǎng)表文件:根據(jù)具體電路AD8028AR用SPICE生成。BERT自帶的是
/cxample/specicOsp憶c)里的bicmos1和cmos1。后面的模擬結(jié)果調(diào)用的輸入文件是cmos1。
2)模擬過(guò)程
①?gòu)木w管電壓偏置中計(jì)算襯底電流和柵電流。
②從襯底電流和柵電流計(jì)算晶體管的Age、壽命和預(yù)計(jì)退化。
③若要做老化模擬,計(jì)算出的AgC可用來(lái)生成退化模型參數(shù)。將退化模型參數(shù)添加到SPICE網(wǎng)表中,就可以進(jìn)行退化后的電路模擬。
④若選ZrDs模型做老化模擬,AgC可用在計(jì)算Z幾s的表達(dá)式中。添加到SP℃E網(wǎng)表中,可進(jìn)行退化后的電路模擬。
在模擬具體電路時(shí),首先要建立好模型文件庫(kù)燦odcl和輸入文件庫(kù)/examplcs,然后在工作目錄下運(yùn)行BERT,調(diào)入輸入文件,依次執(zhí)行PⅡBERT、sPICE、POsTBERT和AgING,進(jìn)行MOs熱載流子模擬。輸入在011tput菜單下的MOSHot CaⅡicr項(xiàng)的NMOs.Deg和PMOS。Dcg中。
3)模擬結(jié)果
BERT的MOS熱載流子模擬結(jié)果分為NoMS.Deg和PMOs。Deg,以表格的形式給出,每個(gè)結(jié)果參數(shù)都有解釋,并且按晶體管的退化程度由上到下排列。
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