侵入式退火
發(fā)布時(shí)間:2017/11/10 22:29:16 訪問次數(shù):765
如圖10,12所示,浸人式退火是指在晶圓的溫度升高到設(shè)定的溫度后,繼續(xù)保持一段時(shí)間以達(dá)到足夠的注人離子活化,薄膜致密化或其他效果。OP177GP一個(gè)典型的快速熱處理反應(yīng)室如圖10.13所示,大功率的鹵素鎢燈發(fā)光通過石英窗后照射到晶片上,并使晶片加熱。因?yàn)?/span>晶片置于一定的支持物上并只保持邊緣接觸,這樣晶片正面的加熱燈光不會(huì)漏到晶片的背面,因而置于反射板下的測(cè)溫計(jì)就可以根據(jù)黑體輻射的原理偵測(cè)到晶片的溫度并實(shí)時(shí)反饋到溫度控制器,而溫度控制器將得到的溫度值與I藝程式去比較來改變各組燈泡的功率,以期達(dá)到溫度閉環(huán)控制的目的。為了提高整個(gè)晶片的均勻性,在一些快速熱處理設(shè)備中,設(shè)計(jì)額外的功能讓晶片在熱處理過程中保持一定的速度旋轉(zhuǎn)。浸人式退火主要應(yīng)用于o.13um及更早的幾代CMOS器仵中PN結(jié)的形成及井區(qū)離子注人后的活化及驅(qū)進(jìn)。
如圖10,12所示,浸人式退火是指在晶圓的溫度升高到設(shè)定的溫度后,繼續(xù)保持一段時(shí)間以達(dá)到足夠的注人離子活化,薄膜致密化或其他效果。OP177GP一個(gè)典型的快速熱處理反應(yīng)室如圖10.13所示,大功率的鹵素鎢燈發(fā)光通過石英窗后照射到晶片上,并使晶片加熱。因?yàn)?/span>晶片置于一定的支持物上并只保持邊緣接觸,這樣晶片正面的加熱燈光不會(huì)漏到晶片的背面,因而置于反射板下的測(cè)溫計(jì)就可以根據(jù)黑體輻射的原理偵測(cè)到晶片的溫度并實(shí)時(shí)反饋到溫度控制器,而溫度控制器將得到的溫度值與I藝程式去比較來改變各組燈泡的功率,以期達(dá)到溫度閉環(huán)控制的目的。為了提高整個(gè)晶片的均勻性,在一些快速熱處理設(shè)備中,設(shè)計(jì)額外的功能讓晶片在熱處理過程中保持一定的速度旋轉(zhuǎn)。浸人式退火主要應(yīng)用于o.13um及更早的幾代CMOS器仵中PN結(jié)的形成及井區(qū)離子注人后的活化及驅(qū)進(jìn)。
相關(guān)技術(shù)資料- 5-11試驗(yàn)樣品的安置
- 11-10侵入式退火
- 3-11注意對(duì)結(jié)構(gòu)的要求
- 1-3視頻檢波線圈電路
- 12-7三種常用音頻功率放大器集成電路信號(hào)輸出引腳的外電路
- 8-19工廠生產(chǎn)印制電路板的工藝流程簡(jiǎn)介
熱門點(diǎn)擊
- 種子層
- 給出該差分放大電路的各三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)
- 輸出端不允許直接接地或直接接+5V電源
- 具有(110)晶面取向的襯底比具有(100)
- 離軸照明
- 等效柵氧厚度的微縮
- RCdelay對(duì)器件運(yùn)算速度的影響
- 最后才用磷酸將氮化硅一次性去除
- 浸沒式光刻
- TIN制程
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